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首頁(yè) > 新聞動(dòng)態(tài) > 泰克串行技術(shù)DDR 測(cè)試、驗(yàn)證和調(diào)試內(nèi)存技術(shù)繼續(xù)發(fā)展以滿足應(yīng)用要求。新一代技術(shù)如 DDR4 和 LPDDR3 采用更高速率來(lái)提升性能、更低的 I/O 電壓來(lái)降低功耗,并支持多種外部形狀以滿足不同應(yīng)用需求。
這些因素帶來(lái)調(diào)試和驗(yàn)證挑戰(zhàn),因?yàn)樾枰M(jìn)行大量更加復(fù)雜的新測(cè)試來(lái)驗(yàn)證和調(diào)試設(shè)備以更緊湊的裕量、更快的邊沿速率和復(fù)雜的總線協(xié)議工作。
泰克提供zui完整的全套工具進(jìn)行內(nèi)存驗(yàn)證和調(diào)試。有關(guān)我們當(dāng)前電氣和邏輯驗(yàn)證解決方案的詳情,敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下應(yīng)用頁(yè)面:
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